企业信息

    芯斐洋电子（深圳）有限公司

  • 3
  • 公司认证： 营业执照已认证
  • 企业性质：股份有限公司
    成立时间：2018
  • 公司地址： 广东省 深圳市 福田区 华强北街道 华航社区 华强电子世界一号店3号楼
  • 姓名： 陈先生
  • 认证： 手机已认证 身份证未认证 微信已绑定

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    MOSFET MOS管 场效应管 分立器件 国产现货 厂家直销

  • 所属行业：电子 电子有源器件 **集成电路
  • 发布日期：2022-11-21
  • 阅读量：70
  • 价格：面议
  • 产品规格：不限
  • 产品数量：不限
  • 包装说明：不限
  • 发货地址：广东深圳福田区华强北街道华航社区  
  • 关键词：MOSFET,MOS管,芯斐洋电子,场效应管,分立器件

    MOSFET MOS管 场效应管 分立器件 国产现货 厂家直销详细内容

    3415 20V 4A 35毫欧 SOT-23 P通道沟槽工艺场效应MOS管

    3407 30V 4.3A 53毫欧 SOT-23 P通道沟槽工艺场效应MOS管

    3401 30V 4.2A 56毫欧 SOT-23 P通道沟槽工艺场效应MOS管

    2300 20V 5.2A 25毫欧 SOT-23 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    3400D 30V 5A 30毫欧 SOT-23 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    3400B 30V 5.8A 25毫欧 SOT-23 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    3400R 30V 5.8A 25毫欧 SOT-23 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    3404 30V 5.8A 24毫欧 SOT-23 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    2308 20V 2A 180毫欧 SOT-23 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    2310 60V 3A 100毫欧 SOT-23 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    4S10 100V 4A 140毫欧 SOT-23 N通道SGT工艺场效应MOS管

    3402 30V 3A 42毫欧 SOT-23-3 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    2320 20V 8A 10毫欧 SOT-23-3 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    3400 30V 5A 30毫欧 SOT-23-3 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    2310S 60V 3A 100毫欧 SOT-23-3 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    5N10 100V 5A 150毫欧 SOT-23-3 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    3415S 20V 4A 35毫欧 SOT-23-3 P通道沟槽工艺场效应MOS管

    3401S 30V 4.2A 53毫欧 SOT-23-3 P通道沟槽工艺场效应MOS管

    20N02 20V 20A 6毫欧 SOP-8 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    8N03 30V 8A 25毫欧 SOP-8 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    9N03 20V 30A 25毫欧 SOP-8 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    11N03 30V 11A 10毫欧 SOP-8 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    12N03 30V 12A 9毫欧 SOP-8 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    18N03 30V 18A 7毫欧 SOP-8 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    20N03 30V 20A 6毫欧 SOP-8 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    8N04 40V 8A 30毫欧 SOP-8 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    6N06 60V 6A 36毫欧 SOP-8 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    7N06 60V 7A 30毫欧 SOP-8 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    10N06 60V 10A 18毫欧 SOP-8 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    4N10 100V 4A 130毫欧 SOP-8 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    9P03 30V 9A 25毫欧 SOP-8 P通道沟槽工艺场效应MOS管

    10P03 30V 10A 20毫欧 SOP-8 P通道沟槽工艺场效应MOS管

    11P03 30V 11A 18毫欧 SOP-8 P通道沟槽工艺场效应MOS管

    12P03 30V 12A 14毫欧 SOP-8 P通道沟槽工艺场效应MOS管

    15P03 30V 15A 10毫欧 SOP-8 P通道沟槽工艺场效应MOS管

    7P04 40V 7A 40毫欧 SOP-8 P通道沟槽工艺场效应MOS管

    8S10 100V 8A 20毫欧 SOP-8 P通道SGT工艺场效应MOS管

    9926 20V 6.5A 25毫欧 SOP-8D 双N沟槽工艺场效应MOS管

    10DN02 20V 10A 16毫欧 SOP-8D 双N沟槽工艺场效应MOS管

    11DN02 20V 11A 10毫欧 SOP-8D 双N沟槽工艺场效应MOS管

    6DN03 30V 6A 32毫欧SOP-8D 双N沟槽工艺场效应MOS管

    8DN03 30V 8A 23毫欧 SOP-8D 双N沟槽工艺场效应MOS管

    5DN06 60V 5A 36毫欧 SOP-8D 双N沟槽工艺场效应MOS管

    8DN06 60V 8A 18毫欧 SOP-8D 双N沟槽工艺场效应MOS管

    4606 30V 7A 24毫欧 SOP-8D N+P沟槽工艺场效应MOS管

    4614 40V 6A 40毫欧SOP-8D N+P沟槽工艺场效应MOS管

    4612 60V 5A 36毫欧 SOP-8D N+P沟槽工艺场效应MOS管

    5521 100V 2.2A 120毫欧 SOP-8D N+P沟槽工艺场效应MOS管

    8DP03 30V 8A 20毫欧 SOP-8D 双P沟槽工艺场效应MOS管

    30N02 20V 30A 10毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    45N02 20V 45A 8毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    60N02 20V 60A 6毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    90N02 20V 90A 4毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    30N03 30V 30A 22毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    55N03 30V 55A 10毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    60N03 30V 60A 9毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    80N03 30V 30A 10毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    100N03 30V 100A 5毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    120N03 30V 120A 4毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    125N03 30V 125A 4毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    135N03 30V 1350A 4毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    25N04 40V 25A 30毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    60N04 40V 30A 10毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    75N04 40V 75A 6毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    120N04 40V 120A 4毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    30N06 60V 30A 30毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    45N06 60V 45A 20毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    50N06 60V 50A 18毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    12N10 100V 12A 120毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    15N10 100V 15A 100毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    19N10 100V 19A 60毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    30P03 30V 30A 30毫欧 TO-252 P通道沟槽工艺场效应MOS管

    40P03 40V 30A 20毫欧 TO-252 P通道沟槽工艺场效应MOS管

    45P03 30V 45A 16毫欧 TO-252 P通道沟槽工艺场效应MOS管

    50P03 30V 50A 14毫欧 TO-252 P通道沟槽工艺场效应MOS管

    60P03 30V 60A 10毫欧 TO-252 P通道沟槽工艺场效应MOS管

    65P03 30V 65A 8毫欧 TO-252 P通道沟槽工艺场效应MOS管

    23P04 40V 23A 50毫欧 TO-252 P通道沟槽工艺场效应MOS管

    35P04 40V 35A 20毫欧 TO-252 P通道沟槽工艺场效应MOS管

    38P04 40V 38A 20毫欧 TO-252 P通道沟槽工艺场效应MOS管

    45P04 40V 45A 15毫欧 TO-252 P通道沟槽工艺场效应MOS管

    20P06 60V 20A 68毫欧 TO-252 P通道沟槽工艺场效应MOS管

    30P06 60V 30A 30毫欧 TO-252 P通道沟槽工艺场效应MOS管

    12P10 100V 12A 200毫欧 TO-252 P通道沟槽工艺场效应MOS管

    20P10 100V 20A 90毫欧 TO-252 P通道沟槽工艺场效应MOS管

    135N03 30V 135A 3毫欧 TO-252 N通道SGT工艺场效应MOS管

    55N06 60V 55A 10毫欧 TO-252 N通道SGT工艺场效应MOS管

    70N06 60V 70A 6毫欧 TO-252 N通道SGT工艺场效应MOS管

    130N06 60V 30A 10毫欧 TO-252 N通道SGT工艺场效应MOS管

    8N10 100V 8A 140毫欧 TO-252 N通道SGT工艺场效应MOS管

    15N10 100V 15A 70毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管

    25N10 100V 25A 25毫欧 TO-252 N通道SGT工艺场效应MOS管

    36N10 100V 36A 20毫欧 TO-252 N通道SGT工艺场效应MOS管

    55N10 100V 55A 10毫欧 TO-252 N通道SGT工艺场效应MOS管

    20NP03 30V 20A 12毫欧 TO-252-4 N+P沟槽工艺场效应MOS管

    40NP03 30V 40A 40毫欧 TO-252-4 N+P沟槽工艺场效应MOS管

    20NP04 40V 20A 25毫欧 TO-252-4 N+P沟槽工艺场效应MOS管

    12NP10 100V 12A 120毫欧 TO-252-4 N+P沟槽工艺场效应MOS管


    http://xinfy1.b2b168.com
    欢迎来到芯斐洋电子（深圳）有限公司网站， 具体地址是广东省深圳市福田区华强电子世界一号店3号楼，联系人是陈先生。 主要经营电子相关产品。 单位注册资金单位注册资金人民币 100 - 250 万元。 本公司主营：TI德州仪器,ADI亚德诺,继电器,芯片,微动开关,连接件等产品，是一家优秀的电子产品公司，拥有优秀的高中层管理队伍，他们在技术开发、市场营销、金融财务分析等方面拥有丰富的管理经验，选择我们，值得你信赖！